AVX钽电容和氧化铌电容应用指南

为了在设计中能正确使用钽电容和氧化铌电容，我们必须充分考虑目标电路和设备的所有重要的电气和物理条件。输入参数通常需要提供电容值，这个值可以根据电源线滤波比、 大压降等计算出来。正确选择电容需要考虑的另一个重要参数是直流工作电压。推荐电压降额使用这个一般规则很重要，对所有钽电容来说降低幅度为50%，氧化铌电容是20%，这意味着钽电容的工作电压 为额定电压Vr的一半，氧化铌电容的工作电压为其额定电压的80%。遵守这个规则很重要，因为这样做可以保护器件免受意外电流浪涌和过压的伤害，而这种情况在汽车电路中很可能发生。然而，用于主输出电路的钽电容降额电压与汽车电池线有很好的隔离，在过压时具有保护作用，并具有缓慢加电模式(软启动电路)，比如低功率DC/DC转换器的输出。在这种情况下，允许使用低至20%的降额幅度。工作温度范围告诉我们选择电容时主要考虑 大温度值，但也要认识到，当高温超过85℃时我们必须使用额外的电压温度降额值。在实际温度下电容允许的 大直流电压被称为类别电压(额定电压只是在室温25℃情况时的其中一种类别电压值)。 如果正常工作温度超过85℃，那么工作降额与温度降额应结合起来考虑。例如，在可能出现浪涌和电压尖峰的电路中 工作温度达125℃的钽电容：工作降额为50%，即电压 为额定电压Vr的50%，125℃时( 坏情况下)的温度降额为33%，即电压 大值是Vr的66%。两者结合后为0.5×0.66=0.33，这意味着钽电容可以在 大为额定电压Vr的33%的电压下使用(针对 差工作条件)。 要想避免电容出现上电或启动电流过载，了解经过电容的 大工作浪涌电流(单峰)很重要。这个电流可以根据电源内部电压以及与待测电容串连的所有器件的内部电阻(包括有效串联电阻ESR)计算出来。工作 大浪涌电流应小于电容的 大允许浪涌电流Ipmax=(1.1×Vr)/(0.45+ESR)。在工作电流太高的情况下可以采取更大的降额幅度，因此选择的额定电压越高，电容的 大浪涌电流Ipmax也越大。 电容的 大纹波电流是流过电容的 大交流电流值，它有两个主要的参数：有效值(rms,ACIrms,Ir)和频率f。纹波电流受限于电容ESR上的电流产生的 大功耗Pd。电容体积越大，允许的功耗也越大，每种体积的功耗是常数。ESR越小，功耗就越小，允许的纹波电容也就越大。参见一般公式Pd=ESR×Ir×Ir。对有较高要求的纹波电流来说，低ESR、大体积、可能多阳极的结构是 选择。

薄膜电容好坏检测

方法一 1.将电容器与电源接通，如果接通的瞬间万用表的指针不摆动，则说明电容器失效或断路。若表针一直指示电源电压，但是却不作摆动，表明电容器已短路。若表针摆动正常，但不返回零位，说明电容器有漏电现象。因为所指示的电压数值越高，表明漏电量越大。 2.薄膜精密晶片电阻，测量容量小的电容器所用的辅助直流电压不能超过被测电容器的耐压，以免因测量而造成电容器击穿损坏。要想准确测量电容器的容量，需要采用电容电桥或Q表。上述的简易检测方法，只能粗略判断压力表电容器的好坏。 3.容量大的固定电容器可用万用表的电阻档（R×1000）测量电容器两电极，看表针的摆动情况，摆幅越大，表明电容器的电容量越大。若测试棒一直碰触电容器引线，表针应指在∞附近，否则，表明该电容器有漏电现象，其电阻值越小，说明漏电量越大，则电容器质量越差。 4.在检查电容器的好坏时，对耐压较低的电解电容器，电阻档应放在R×100或R×1K档，把红表笔接电容器的负端，黑表笔接正端，这时万用表指针将摆动，然后恢复到零位或零位附近，这样说明电解电容器的质量是合格的。电解电容器的容量越大，充电时间越长，指针摆动得也越慢。薄膜精密晶片电阻怎么判断晶片电阻好坏如何判断贴片电阻好坏 判断贴片电阻的好坏有以下两种情况： 种：用万用表在线测量法，电阻值大于标称值时，说明元件有断路性故障或电阻值变大，已经损坏；所测阻值小于标称值时，要考虑到是外围并联元件对其造成的影响，应将元件一端或两端脱开电路进行测量，以便得出确切的测量结果。 一旦仪器仪表中的长方框架形线绕精密电阻损坏，可用与原电阻合金丝的材料、直径、长度均相同的新合金电阻丝均匀绕在原框架上代替。如果原长方框架形线绕精密电阻只是表面绝缘层破损，只需将原电阻丝从框架上拆下，重新浸漆（宜选用性能优、价格低的1260绝缘清漆），再经晾干处理后重新绕到原长方框架上即可。 第二种：外观特征判断法。 具体外观特征判断如下： 贴片电阻表面二次玻璃体保护膜应覆盖完好，出现脱落，可能已经损坏。 元件表面应该是平整的，若再现一些“凸凹”，可能损坏。 元件引出端电极一般应平整、无裂痕针孔、无变色现象，如果出现裂纹，则可能损坏。 贴片电阻体表面颜色烧黑，可能已经损坏。 电阻体己经变形，可能损坏。